BC-MOS


BC-MOS w encyklopedii

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania

BC-MOS (Buried Channel Metal Oxide Semiconductor) – typ tranzystora MOS. Jest to tranzystor polowy z kanałem zagrzebanym, gdzie pod warstwą izolatora (bramką) znajduje się zaimplantowany kanał. Kanał tranzystora BC-MOS może znajdować się w jednym ze stanów:

  • w zakresie NIENASYCENIA:
    • zubożenie przy powierzchni
    • akumulacja przy powierzchni
    • częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni
  • w zakresie NASYCENIA:
    • zubożenie przy powierzchni
    • częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni.
Na podstawie artykułu: "BC-MOS" pochodzącego z Wikipedii
OryginałEdytujHistoria i autorzy