Eutektyka


Eutektyka w encyklopedii

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania Rys. 1. Wykres równowagi fazowej w układzie Fe–Fe3C
Eutektyka: 4,3% C (ledeburyt)
Temperatura przemiany eutektycznej: 1148 °C

Eutektyka (eutektyk, mieszanina eutektyczna) – mieszanina dwóch lub więcej faz o określonym składzie, która wydziela się z roztworów ciekłych w pewnej temperaturze, zwanej temperaturą eutektyczną. Mieszanina ta jest produktem przemiany eutektycznej. Nazwa wywodzi się z greckiego słowa eutektos, co znaczy „łatwo topliwy”[1].

Spis treści

Ogólne informacje | edytuj kod

W większości przypadków temperatura eutektyczna jest niższa od temperatury krzepnięcia czystych składników. Wykorzystuje się to przy topieniu i przerabianiu materiałów trudno topliwych, na przykład mechaniczne złączenie materiałów doprowadza do dyfuzyjnego utworzenia eutektyki. Kryształy eutektyki są czystymi kryształami składników lub roztworami stałymi o różnych składach[1]. Eutektyki są stałymi odpowiednikami mieszanin azeotropowychpotrzebne źródło.

Dużo uwagi poświęcono badaniom stopów eutektycznych – liczne po zakrzepnięciu w odpowiednich warunkach tworzą regularną drobnodyspersyjną strukturę, w której jedna z faz występuje w postaci płytek lub włókien. Eutektykę można uznać za kompozyt in situ, jeżeli wystąpi szczególne przestrzenne rozmieszczenie faz o różnych właściwościach. Stopy eutektyczne charakteryzują się niskimi temperaturami topnienia i dobrymi własnościami lejnymi[2].

Na rysunku 1 przedstawiono wykres fazowy z modelowym przykładem eutektyki stopów Fe–C, zwanej ledeburytem.

Rodzaje eutektyk | edytuj kod

Rys. 2. Schemat podstawowych typów eutektyk:
A – eutektyka płytkowa
B – eutektyka prętowa
C – eutektyka globularna
D – eutektyka iglasta

W zależności od kształtu i rozmieszczenia dwu faz stałych tworzących eutektykę rozróżnia się mieszaniny:

  • globularne (o kulistym ziarnie)
  • iglaste
  • płytkowe
  • prętowe (słupkowe)[2][3].

Na rysunku 2 przedstawione są graficznie różne typy eutektyk.

Ocena morfologii eutektyk jest sprawą umowną. W zależności od wybranej techniki obserwacyjnej dla tego samego zgładu można określić różne typy eutektyki. Nie do końca również poznane są przyczyny powstawania konkretnego typu mieszaniny.

Z punktu widzenia osiągnięcia minimum swobodnej energii powierzchniowej najkorzystniejszą jest eutektyka globularna. W rzeczywistości liczne, rozproszone cząstki fazy globularnej muszą wielokrotnie zarodkować, co wymaga znacznego przechłodzenia.

Eutektyki prętowe i płytkowe mogą wzrastać przy niskich wartościach przechłodzenia. Ich powierzchnia międzyfazowa jest dużo większa od eutektyk globularnych i iglastych, toteż pojawia się większy czynnik energetyczny hamujący krystalizację.

Jeżeli jedna z faz w eutektyce charakteryzuje się znaczną anizotropią prędkości wzrostu, to rośnie w określonym kierunku krystalograficznym znacznie szybciej od osnowy i zarodkuje wielokrotnie. Taki mechanizm wzrostu promuje powstanie eutektyki iglastej[2].

Ogólnie na morfologię eutektyk mają wpływ poniższe czynniki:

Krzepnięcie eutektyk | edytuj kod

Wzrost kryształów w eutektykach jest zasadniczo podobny do wzrostu w stopach jednofazowych. Sterowanie gradientem temperatury i prędkością wzrostu pozwala zachować płaski front krystalizacji, a fluktuacje prędkości wzrostu prowadzą do zmian składu i struktury na kierunku tegoż wzrostu. Podczas takiego krzepnięcia domieszka jest wypychana do cieczy i dyfunduje zarówno w kierunku wzrostu, jak i w kierunku do niego poprzecznym[2].

Krzepnięcie eutektyk płytkowych i prętowych | edytuj kod

Krzepnięcie cieczy o składzie eutektycznym rozpoczyna się heterogenicznym zarodkowaniem jednej z faz, na przykład α {\displaystyle \alpha } (bogata w składnik A). Powoduje to jednoczesne wzbogacanie się w składnik B cieczy przed frontem przemiany. W przechłodzonych obszarach cieczy na fazie α {\displaystyle \alpha } zarodkuje faza β . {\displaystyle \beta .} Tworzenie się fazy β {\displaystyle \beta } powoduje z kolei wzbogacanie cieczy w składnik A, co sprzyja dalszemu wzrostowi kolejnych kryształów fazy α {\displaystyle \alpha } wzdłuż wydzieleń fazy β . {\displaystyle \beta .} Taka mieszanina eutektyczna składa się z ułożonych na przemian płytek lub prętów faz α {\displaystyle \alpha } i β . {\displaystyle \beta .} Gdy udział objętościowy fazy β {\displaystyle \beta } jest większy od 1 / π , {\displaystyle 1/\pi ,} eutektyka ma zwykle budowę płytkową. W przeciwnym przypadku tworzą się prętowe wydzielenia fazy β {\displaystyle \beta } w osnowie fazy α . {\displaystyle \alpha .}

Krzepnięcie cieczy o składzie eutektycznym może również polegać na ciągłym heterogenicznym zarodkowaniu i wzroście obu faz. Jedna faza (np. α {\displaystyle \alpha } ) zarodkuje, powodując wzbogacenie cieczy w składnik B i sprzyjając zarodkowaniu fazy β {\displaystyle \beta } w sąsiedztwie. Faza β {\displaystyle \beta } zarodkuje zupełnie niezależnie, nie wykazując uprzywilejowanej orientacji krystalograficznej w stosunku do istniejącej w innym miejscu fazy α {\displaystyle \alpha } [3].

Krzepnięcie eutektyk globularnych i iglastych | edytuj kod

Krystalizacja eutektyk może być zapoczątkowana stałym heterogenicznym zarodkowaniem jednej z faz w cieczy przed frontem krystalizacji. Osnowa krystalizuje niezależnie z cieczy, w której istnieją już wydzielenia drugiej fazy. Mają one w stosunku do osnowy przypadkową orientację krystalograficzną. Eutektykę globularną uzyskuje się w wyniku wzrostu izotropowego, a eutektykę iglastą w wyniku anizotropowego wzrostu wydzieleń[3].

Prędkość wzrostu eutektyk płytkowych | edytuj kod

Problematyka | edytuj kod

Problematyka wzrostu eutektyk płytkowych wymaga rozwiązania dwu zagadnień:

  • wpływ energii powierzchni międzyfazowej na temperaturę eutektyczną
  • rola strumieni dyfuzyjnych towarzyszących równoczesnemu wzrostowi faz.
Δ G V ( S ) = Δ G V ( ) + γ α β A α β V , {\displaystyle \Delta G_{V(S)}=\Delta G_{V(\infty )}+{\frac {\gamma _{\alpha \beta }\cdot A_{\alpha \beta }}{V}},} Δ G V ( S ) = Δ G V ( ) + 2 γ α β S , {\displaystyle \Delta G_{V(S)}=\Delta G_{V(\infty )}+{\frac {2\gamma _{\alpha \beta }}{S}},}

gdzie:

Δ G V ( S ) {\displaystyle \Delta G_{V(S)}} – zmiana swobodnej energii objętościowej w przypadku skończonych odległości międzypłytkowych [J/m³], Δ G V ( ) {\displaystyle \Delta G_{V(\infty )}} – zmiana swobodnej energii objętościowej w przypadku nieskończenie dużych odległości międzypłytkowych [J/m³], γ α β {\displaystyle \gamma _{\alpha \beta }} – energia powierzchni międzyfazowej [J/m²], V {\displaystyle V} – objętość jednostkowa eutektyki [m³], A α β {\displaystyle A_{\alpha \beta }} – powierzchnia międzyfazowa α β {\displaystyle \alpha \beta } [m²], S {\displaystyle S} – odległość pomiędzy środkami płytek eutektyki [m], 2 / S {\displaystyle 2/S} – powierzchnia międzyfazowa α β {\displaystyle \alpha \beta } przypadająca na jednostkę objętości eutektyki [1/m][2].

Rozwiązanie | edytuj kod

Uzyskanie eutektyki o skończonych odległościach międzypłytkowych wymaga obniżenia temperatury poniżej temperatury eutektycznej. Krzepnięcie nie może się odbywać przy temperaturze eutektycznej, ponieważ powodowałoby to powstawanie eutektyki o nieskończenie dużych odległości międzypłytkowych.

Clarence Zener rozwiązał problem wpływu parametrów procesu na wielkość odległości międzypłytkowych przez założenie, że realizowane w danych warunkach odległości międzypłytkowe to takie, które maksymalizują prędkość wzrostu. Opisuje to poniższa relacja:

R α = D L Δ c 0 4 η ( c α L c L α ) S , {\displaystyle R_{\alpha }={\frac {D_{L}\Delta c_{0}}{4\eta (c_{\alpha -L}-c_{L-\alpha })\cdot S^{*}}},}

gdzie:

R α {\displaystyle R_{\alpha }} – prędkość wzrostu fazy α {\displaystyle \alpha } [m/s], D L {\displaystyle D_{L}} – współczynnik dyfuzji z cieczy do płytki fazy β {\displaystyle \beta } [m²/s], Δ c 0 {\displaystyle \Delta c_{0}} – maksymalna różnica stężeń w fazie ciekłej przed frontem rosnących płytek [%], η {\displaystyle \eta } – stała proporcjonalności, S {\displaystyle S^{*}} – krytyczna odległość międzypłytkowa [m], ( c α L c L α ) {\displaystyle (c_{\alpha -L}-c_{L-\alpha })} – ilość składnika B wypchniętego do cieczy [%].

Krytyczna odległość międzypłytkowa dana jest wzorem:

S = 2 γ α β Δ G V ( ) {\displaystyle S^{*}=-{\frac {2\gamma _{\alpha \beta }}{\Delta G_{V(\infty )}}}} [2].

Czynniki wpływające na prędkość wzrostu płytek | edytuj kod

Jeżeli prędkość wzrostu nagle zwiększy się, odległości międzypłytkowe będą zbyt duże w porównaniu ze średnimi drogami dyfuzji domieszki. Nadmiar substancji gromadzi się przed frontem krystalizacji szerszej płytki lub obiema, obniżając temperaturę procesu.

Prędkość wzrostu płytek silnie zależy od wielkości przechłodzenia Δ T {\displaystyle \Delta T} :

R ( Δ T ) 2 {\displaystyle R\propto (\Delta T)^{2}} [2].

Przykłady | edytuj kod

Zobacz też | edytuj kod

Przypisy | edytuj kod

  1. a b Pacyna Jerzy: Metaloznawstwo. Wybrane zagadnienia. Kraków: UWND AGH, 2005, s. 142–144. ISBN 83-89388-93-6.
  2. a b c d e f g h i Kędzierski Zbigniew: Przemiany fazowe w układach skondensowanych. Kraków: UWND AGH, 2003, s. 123–131. ISBN 83-88408-75-5.
  3. a b c d Dobrzański L.A: Podstawy nauki o materiałach i metaloznawstwo. Warszawa: WNT, 2003, s. 220–224. ISBN 83-204-2793-2.
  4. Eutectic point (ang.). 2003. [dostęp 2012-03-10]. [zarchiwizowane z tego adresu.
  5. I.H. Moon, Y.L. Kim, I.S. Ahn. Electrical anisotropic property of some unidirectionally solidified eutectic alloys. „Journal of Materials Science”. 16 (5), s. 1367–1373, 1981. Berlin, Niemcy: Springer. DOI: 10.1007/BF01033853
Na podstawie artykułu: "Eutektyka" pochodzącego z Wikipedii
OryginałEdytujHistoria i autorzy